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11.
随着能源紧缺与环境污染问题的日益严重,太阳能的开发利用越来越受到重视,其中非晶硅薄膜太阳能电池由于其制备工艺简单、价格低廉等优点被广泛地研究.为了使非晶硅薄膜太阳能电池得到更好地利用,提高其转换效率和稳定性显得尤为重要.引入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池性能的有效手段,其中对GZO/Al复合背电极的研究还未见报道.在该工作中,利用磁控溅射法在非晶硅电池上制备了GZO/Al复合背电极,研究了复合背电极的制备条件及其对非晶硅太阳能电池性能的影响.结果显示,当GZO层的溅射功率为90 W、Al层的溅射功率为90 W时,具有复合背电极的太阳能电池表现出较好的光电转换性能,其短路电流(ISC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)和电池的光电转换效率(η)分别为8.92 mA、1.55 V、54.48;和7.53;.相较于单层Al背电极的太阳能电池,其光电转换效率大幅提高了47.6;(相对效率).  相似文献   
12.
杜园园  姜维春  陈晓  雒涛 《人工晶体学报》2021,50(10):1892-1899
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。  相似文献   
13.
Abstract

Complexes of [CdL2(NO3)2]·1.5H2O and [Ag2(μ-L)2(NO3)2] were synthesized by the reactions of 2-p-methylphenyl-5-(2-pyridyl)-1,3,4-thiadiazole (L) with Cd(NO3)2·4H2O and AgNO3, respectively. Their structures were determined by single crystal X-ray diffraction. The photophysical property and thermal stability were characterized by FT???IR, UV???Vis absorption, fluorescence, and thermogravimetric analysis (TGA). Both complexes belong to the triclinic system with space group p???1. The central metal of [CdL2(NO3)2]·1.5H2O has a distorted octahedral geometry [CdN4O2], while two central Ag(I) atoms of [Ag2(μ-L)2(NO3)2] exhibit distorted tetrahedral geometries [AgN3O].  相似文献   
14.
15.
在EAST装置上安装了X模极化W波段多道相关反射仪,用于测量等离子体芯部密度涨落。该诊断利用低损耗(<3dB)多工器将4个不同频率(79.2GHz,85.2GHz,91.8GHz和96GHz)的微波耦合在一起,通过同一个天线发射。反射波由两个极向分离(~5cm)的天线接收,通过下变频技术实现外差测量。通过对两个极向天线接收的信号进行相关分析,获得芯部湍流垂直速度。对2018年低约束模式(L模)放电进行分析发现,在电子回旋共振加热(ECRH)等离子体中,芯部湍流垂直速度在电子逆磁漂移方向。而在注入同向中性束(co-NBI)后,芯部湍流垂直速度变为离子逆磁漂移方向。  相似文献   
16.
A single-polarization filter comprising a gold-coated photonic crystal fiber based on surface plasmon resonance is designed and investigated. The pattern matching and coupled polarization characteristics analyzed by the full-vector finite element method (FEM) and losses at 1,540 nm are achieved to 1,016.01739 dB/cm (x-pol core mode) and 33.81917 dB/cm (y-pol core mode). The crosstalk (CT) value of the 1,540 nm band is ?853.12653 dB for fiber length L=1,000μm and the bandwidth is 850 nm. The working wavelength of the filter ranges from 1,280 nm to 1,540 nm by varying the diameter of outer air holes (d1), the diameter of inner air holes (d4), the metal film thickness (t), as well as the liquid refractive index (n).  相似文献   
17.
We show the short-time existence and nonlinear stability of vortex sheets for the nonisentropic compressible Euler equations in two spatial dimensions, based on the weakly linear stability result of Morando and Trebeschi (2008) [20]. The missing normal derivatives are compensated through the equations of the linearized vorticity and entropy when deriving higher-order energy estimates. The proof of the resolution for this nonlinear problem follows from certain a priori tame estimates on the effective linear problem in the usual Sobolev spaces and a suitable Nash–Moser iteration scheme.  相似文献   
18.
19.
排名聚合将多个排名列表聚合成一个综合排名列表,可应用于推荐系统、链路预测、元搜索、提案评选等.当前已有工作从不同角度对不同排名聚合算法进行了综述、比较,但存在算法种类较少、数据统计特性不清晰、评价指标不够合理等局限性.不同排名聚合算法在提出时均声称优于已有算法,但是用于比较的方法不同,测试的数据不同,应用的场景不同,因此何种算法最能适应某一任务在很多情况下仍不甚清楚.本文基于Mallows模型,提出一套生成统计特性可控的不同类型的排名列表的算法,使用一个可应用于不同类型排名列表的通用评价指标,介绍9种排名聚合算法以及它们在聚合少量长列表时的表现.结果发现启发式方法虽然简单,但是在排名列表相似度较高、列表相对简单的情况下,能够接近甚至超过一些优化类方法的结果;列表中平局数量的增长会降低聚合排名的一致性并增加波动;列表数量的增加对聚合效果的影响呈现非单调性.整体而言,基于距离优化的分支定界方法 (FAST)优于其他各类算法,在不同类型的排名列表中表现非常稳定,能够很好地完成少量长列表的排名聚合.  相似文献   
20.
Based on the surface passivation of n-type silicon in a silicon drift detector(SDD), we propose a new passivation structure of SiO2/Al2O3/SiO2 passivation stacks. Since the SiO2 formed by the nitric-acid-oxidation-of-silicon(NAOS)method has good compactness and simple process, the first layer film is formed by the NAOS method. The Al2O3 film is also introduced into the passivation stacks owing to exceptional advantages such as good interface characteristic and simple process. In addition, for requirements of thickness and deposition temperature, the third layer of the SiO2 film is deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The deposition of the SiO2 film by PECVD is a low-temperature process and has a high deposition rate, which causes little damage to the device and makes the SiO2 film very suitable for serving as the third passivation layer. The passivation approach of stacks can saturate dangling bonds at the interface between stacks and the silicon substrate, and provide positive charge to optimize the field passivation of the n-type substrate.The passivation method ultimately achieves a good combination of chemical and field passivations. Experimental results show that with the passivation structure of SiO2/Al2O3/SiO2, the final minority carrier lifetime reaches 5223 μs at injection of 5×1015 cm-3. When it is applied to the passivation of SDD, the leakage current is reduced to the order of nA.  相似文献   
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